中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的MOCVD設備PRISMO HiT3?，是適用于高質(zhì)量氮化鋁和高鋁組分材料生長的關(guān)鍵設備，反應腔最高溫度可大達1400攝氏度，單爐可生長18片2英寸外延片，并可延伸到4英寸晶片。 中微高溫MOCVD設備PRISMO HiT3專為深紫外LED量產(chǎn)而設計，是目前業(yè)內(nèi)紫外LED產(chǎn)能先進的高溫MOCVD設備。
用于深紫外LED外延片量產(chǎn)的MOCVD設備
適用于高溫氮化鋁和深紫外 LED生長的關(guān)鍵設備
優(yōu)異均勻性和高效能相結(jié)合
適合高晶體質(zhì)量和高AIN生長速率的新穎腔體設計
創(chuàng)新的實時監(jiān)控系統(tǒng)
工藝溫度最高可達1400度，具有優(yōu)異的溫場均勻性和控制穩(wěn)定性
具有高穩(wěn)定性、自動化的真空傳送系統(tǒng)，抑制顆粒的產(chǎn)生
界面友好、全自動化的操作系統(tǒng)
優(yōu)異的工藝重復性，簡化工藝調(diào)整需求，提高產(chǎn)品良率
單爐可生長18片2英寸外延晶片，具有較低的生產(chǎn)成本
集成頂蓋升降機構(gòu)，簡化設備維護，提高設備利用率
業(yè)界領(lǐng)先的UVC LED產(chǎn)能及維護周期
