Primo nanova?是中微基于電感耦合（ICP）技術(shù)研發(fā)的12英寸刻蝕設(shè)備。它可以配置多達(dá)六個(gè)刻蝕反應(yīng)腔和兩個(gè)可選的除膠反應(yīng)腔。其中刻蝕反應(yīng)腔采用了軸對(duì)稱設(shè)計(jì)，具有高反應(yīng)氣體通量。ICP發(fā)射天線采用了中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)離子濃度和離子能量的高度獨(dú)立控制。反應(yīng)腔內(nèi)部涂有高致密性、耐等離子體侵蝕材料，以獲得更高的工藝重復(fù)性和生產(chǎn)率。設(shè)備還采用了多區(qū)細(xì)分的高動(dòng)態(tài)范圍溫控靜電吸盤，使加工出的集成電路器件的關(guān)鍵尺寸達(dá)到高度均勻性。Primo nanova適用于1X納米及以下的邏輯和存儲(chǔ)器件的刻蝕應(yīng)用。