Primo HD-RIE?是中微于2015年推出的新一代電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品，是在Primo SSC AD-RIETM設(shè)計基礎(chǔ)上實現(xiàn)的具有六個單反應(yīng)臺腔體的系統(tǒng)，定位于為中高深寬比刻蝕提供綜合解決方案。該設(shè)備具有以下新特性：更高的同步脈沖射頻功率、高功率高溫靜電托盤、氣體脈沖、多區(qū)氣體調(diào)節(jié)、可冷卻聚焦環(huán)工藝組件和更穩(wěn)定的上電極溫度控制等。Primo HD-RIE在3D-NAND及DRAM中高深寬比溝槽及深孔刻蝕上表現(xiàn)優(yōu)異，在一些關(guān)鍵制程上已實現(xiàn)量產(chǎn)。
為NAND和DRAM芯片制造提供創(chuàng)新的刻蝕解決方案
具有獨立氣體輸運系統(tǒng)的單反應(yīng)臺腔體設(shè)計
多區(qū)氣體調(diào)節(jié)以及雙區(qū)ESC溫度控制
高功率以及高溫靜電吸盤
氣體脈沖
雙級同步脈沖射頻系統(tǒng)，甚高功率的低頻射頻脈沖以提供高離子轟擊能量
穩(wěn)定的上電極溫度控制系統(tǒng)
可冷卻聚焦環(huán)以防止硅片邊緣刻蝕停止
高上下電極面積比，以應(yīng)用于中高深寬比刻蝕
高電介質(zhì)材料刻蝕速率，多手段刻蝕均勻度調(diào)節(jié)
高粒子轟擊能量，以擴大高深寬比刻蝕工藝窗口
氣體脈沖系統(tǒng)，提供更靈活的工藝控制方案
應(yīng)對特殊工藝的高溫高功率靜電吸盤選項
