Primo Twin-Star? 是中微基于電感耦合（ICP）技術(shù)研發(fā)的 12 英寸刻蝕設(shè)備。它可以配置多達(dá)三個(gè)具有雙反應(yīng)臺(tái)的刻蝕反應(yīng)腔和兩個(gè)可選的除膠反應(yīng)腔。每個(gè)刻蝕反應(yīng)腔可同時(shí)加工一片或兩片晶圓并取得高度均勻和一致的結(jié)果。ICP 發(fā)射天線采用了中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的低電容耦合 3D 線圈設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)離子濃度和離子能量的高度獨(dú)立控制。設(shè)備還采用了可實(shí)現(xiàn)多區(qū)動(dòng)態(tài)溫控的靜電吸盤(pán)，使加工出的集成電路器件的關(guān)鍵尺寸達(dá)到高度均勻性。反應(yīng)腔內(nèi)部涂有高致密性、耐等離子體侵蝕材料，以獲得更高的工藝重復(fù)性和生產(chǎn)率。Primo Twin-Star? 適用于各種尺寸和深度的硅結(jié)構(gòu)刻蝕以及邏輯和存儲(chǔ)芯片的多種導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜刻蝕。此外，該產(chǎn)品和單反應(yīng)臺(tái)腔體相比還具有明顯的低成本優(yōu)勢(shì)。