Primo SSC AD-RIE?是中微于2013年推出的單反應(yīng)臺電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品,在Primo AD-RIE?產(chǎn)品技術(shù)和Primo平臺概念的基礎(chǔ)上,通過在一個平臺上集成六個單反應(yīng)臺以優(yōu)化產(chǎn)能。除了可獨立輸運氣體的單反應(yīng)臺腔體設(shè)計以外,為應(yīng)對2x納米以下特別是接觸孔刻蝕等關(guān)鍵制程的挑戰(zhàn),該設(shè)備還具有以下特性:同步脈沖射頻系統(tǒng)、可冷卻聚焦環(huán)工藝組件和甚低壓氣體抽運系統(tǒng)等。Primo SSC AD-RIE有利于處理多層薄膜刻蝕的微負(fù)載問題、極端邊緣形貌問題以及接觸孔刻蝕的終端控制問題。Primo SSC AD-RIE已在主流客戶16納米芯片生產(chǎn)線上穩(wěn)定量產(chǎn)。
為26到10納米芯片制造提供創(chuàng)新的刻蝕解決方案
具有獨立氣體輸運系統(tǒng)的單反應(yīng)臺腔體設(shè)計
多區(qū)氣體調(diào)節(jié)以及雙區(qū)靜電吸盤溫度控制
高抽氣率,大容量分子泵
雙級同步脈沖射頻系統(tǒng)(低頻和高頻)
可冷卻聚焦環(huán)工藝組件,提升晶圓邊緣性能
高上下電極面積比,以應(yīng)用于高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕
高電介質(zhì)材料刻蝕速率,多手段刻蝕均勻度調(diào)節(jié)
雙級同步脈沖射頻系統(tǒng)
先進(jìn)氣體抽運系統(tǒng),以進(jìn)一步擴(kuò)大工藝窗口
中高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕的低成本解決方案