MOCVD全稱是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備），是在基板上生長半導(dǎo)體薄膜的一種技術(shù)。利用MOCVD技術(shù)，許多納米層可以以極高的精度沉積，每一層都具有可控的厚度，以形成具有特定光學(xué)和電學(xué)特性的材料。MOCVD是用于LED芯片和功率器件制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)。

中微公司在MOCVD領(lǐng)域有非常深厚的技術(shù)積累。公司于2013年發(fā)布了第一代MOCVD設(shè)備 PRISMO D-BLUE?，由于其較高的靈活性和生產(chǎn)效率、優(yōu)異的性能以及簡便易行的設(shè)備維護，中微的MOCVD設(shè)備快速獲得了客戶的認可和信任。

2016年，中微發(fā)布了其第二代MOCVD設(shè)備 PRISMO A7?。在 PRISMO D-BLUE的基礎(chǔ)上，PRISMO A7增加了一些新的特征，以進一步提升生產(chǎn)效率和加工性能。該設(shè)備已應(yīng)用于國內(nèi)眾多領(lǐng)先的LED生產(chǎn)線。

中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的MOCVD設(shè)備PRISMO HiT3?，是適用于高質(zhì)量氮化鋁和高鋁組分材料生長的關(guān)鍵設(shè)備。
在不到三年的時間里，中微已經(jīng)在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。